1 Stück CMP-Anlage CMP-Anlage für die chemisch-mechanische Politur von dielektrischen Schichten wie Siliziumoxid auf Si- und III-V-Halbleiterwafern der Größe 100 mm und 150 mm mit integrierter Reinigung und optischer Endpoint Detection. Durch die Politur soll eine Planarisierung der Oberfläche sowie Verbesserung der Oberflächenrauhigkeit erzielt werden, um das anschließende Wafer-Fusion-Bonden von III-V-Halbleitern mit Si-Wafern zu ermöglichen. Option 1.17: Getrennte Leitung für Abfluss von DI-Wasser und für Chemikalien Option 1.22: SESC/GEM Schnittstelle um Daten von der Anlage an das hausinterne MES-System übertragen zu können. Option 2.2: EPD über Drehmoment