Das Institut für Halbleiteroptik und funktionelle Grenzflächen (IHFG) hat InAs-Quantenpunkte (QDs) entwickelt, die im C-Band des Telekommunikationsbereichs emittieren. Dazu wurde eine metamorphe Pufferschicht (MMB) aus InGaAs zwischen der aktiven QD-Schicht und dem GaAs-Substrat eingesetzt, um die Spannung im System zu manipulieren. Um die optische Qualität, insbesondere die Emissionslinienbreite, deutlich zu verbessern, müssen in einem nächsten Schritt die MMB-Schichten durch Präzisionspolieren mechanisch entfernt werden. Die Entfernung der MMB würde nicht nur die Emissionseigenschaften verbessern, sondern auch die Herstellung spannungsfreier QD-Membranen erleichtern, was den Weg für die Herstellung von hochleistungsfähigen photonischen Strukturen mit hoher Ausbeute ebnen würde. Um dies zu erreichen, ist ein Präzisionspoliersystem erforderlich, das III-V-Materialien auf eine Oberflächenrauheit möglichst im Sub-Nanometerbereich (RMS < 1 nm) polieren kann und eine ausgezeichnete Kontrolle der Gesamtdickenabweichung (TTV) sowie eine hohe Reproduzierbarkeit bietet. Darüber hinaus wäre es mit einem solchen Poliersystem möglich, III-V/Si-basierte quantenphotonische integrierte Schaltungen (QPICs) durch direktes Bonden zu realisieren.